BS EN 62047-12-2011 半导体装置.微型机电装置.使用MEMS结构的共振,薄膜材料的弯曲挠度试验方法
作者:标准资料网
时间:2024-04-29 20:13:33
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【英文标准名称】:Semiconductordevices.Micro-electromechanicaldevices.BendingfatiguetestingmethodofthinfilmmaterialsusingresonantvibrationofMEMSstructures
【原文标准名称】:半导体装置.微型机电装置.使用MEMS结构的共振,薄膜材料的弯曲挠度试验方法
【标准号】:BSEN62047-12-2011
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2011-11-30
【实施或试行日期】:2011-11-30
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Bendingstrength;Definitions;Electricalengineering;Fatigue;Fatiguelimit;Materials;Microelectronics;Microsystemtechniques;Resonance;Samples;Semiconductordevices;Systemengineering;Testing;Testingdevices;Testingsystem;Thin-filmtechnology
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01;31_220_01
【页数】:34P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:半导体装置.微型机电装置.使用MEMS结构的共振,薄膜材料的弯曲挠度试验方法
【标准号】:BSEN62047-12-2011
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2011-11-30
【实施或试行日期】:2011-11-30
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:Bendingstrength;Definitions;Electricalengineering;Fatigue;Fatiguelimit;Materials;Microelectronics;Microsystemtechniques;Resonance;Samples;Semiconductordevices;Systemengineering;Testing;Testingdevices;Testingsystem;Thin-filmtechnology
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01;31_220_01
【页数】:34P;A4
【正文语种】:英语
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